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          簡述硅片回收工藝流程

          時間:2019/6/25 作者 :管理員

            簡述硅片回收工藝流程

            切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。

            退火:雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發生反應,使硅片表面形成二氧化硅保護層。

            倒角:將退火的硅片進行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。

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